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Avec Excirad 172, nous avons pour la première fois à disposition une toute nouvelle génération de systèmes d'irradiation VUV pour le séchage UV et le matage de matériaux polymérisables par UV.

 

 
Reine Stickstoffkühlung                  Kombinierte Kühlung: Stickstoff / deionisiertes Wasser

Refroidissement par azote pur                                 Refroidissement combiné : azote / eau déionisée

 

 

Le schéma ci-dessus représente une coupe transversale d'une lampe ecximère.  Un tube cylindrique à double paroi en quartz est rempli d'environ 600 hPa de xénon. Les électrodes qui sont situées sur la paroi intérieure et extérieure du tube de quartz sont reliées à un générateur HF de haute tension.  Lorsque la haute tension à haute fréquence est appliquée, des micro-décharges sont générées dans le gaz, et provoquent un rayonnement de 172 nm.

Supposons le mécanisme suivant: Les électrons qui sont générés et accélérés pendant les micro-décharges dans le gaz, diffusent leur énergie aux atomes de xénon.  Des ions-xénon sont alors produits, çàd des états excités du xénon:

e- + Xe → Xe*,Xe+.

{gallery width=400 alignment=right crop=0} UV/Excimer/exirad172_diagram.png{/gallery}

Dans un deuxième temps, une molécule de xénon excité Xe2*  est formée lors d'une réaction entre deux atomes de xénon Xe à l'état fondamental avec un atome de xénon excité Xe*

Xe* + 2Xe → Xe2* + Xe.

L'excimère Xe émet un photon de 172 nm. L'état fondamental résultant est instable et se désintègre en deux atomes de xénon.

Xe2* → 2Xe + hν (172 nm).

Parce que les photons de 172 nm sont fortement absorbés par l'oxygène, on doit effectuer l'irradiation des revêtements sous azote.  On utilise en pratique pour cela une chambre étanche équipée d'une alimentation en azote.   Au cours des dernières années, IOT GmbH a amené avec succès l'utilisation de la lampe à excimère 172 nm pour le matage physique à un usage industriel.

Plusieurs longueurs d'ondes sont possible selon le volume de gaz utilisé.  Elle se distinguent par leur degré de pénétration.

Informations complémentaires:

 


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