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Seit über 10 Jahren beschäftigt sich IOT mit der Entwicklung kundenspezifischer Plasma- und Ionenstrahlanlagen für die Dünnschicht-und Oberflächentechnik und als Besonderheit auch mit speziellen Plasmaanlagen für die Plasma-Immersions-Ionenimplantation (PIII, PIIID).
 

 

Kaufmanquelle

HF-Quelle

Mikrowellenquelle

Kennzeichen

Ø  Glühkathode zur Elektronenemission

Ø  13.56 MHz HF‑Anregung

Ø  2.45 GHz‑Anregung mit verschiedenen Arten von Mikrowellenantennen

Vorteile

Ø  Teilweise Entkopplung von der Elektronengeschwindigkeitsverteilung und der Elektronendichte

Ø  Geringes Permanentmagnetfeld

Ø  Hohe Plasma- (1010 bis 1012 cm-3) und Strahldichten

Ø  Lange Standzeiten

Ø  Automatische HF‑Anpassung möglich

Ø  Geringes Permanentmagnetfeld

Ø  Hohe Plasma- (1010 bis 1012 cm-3) und Strahldichten

Ø  Lange Standzeiten

Ø  Standardmäßige Mikrowellen-Anpassung

Nachteile

Ø  Häufige Wartungszyklen durch Kathodenwechsel

Ø  Nur eingeschränkter Betrieb mit reaktiven Gasen

Ø  Strahlverunreinigung durch Kathodenmaterial

Ø  Hohe thermische Belastung des Substrates und der Gittern durch die Heißkathodenanregung

Ø  Hohe Elektronenenergien und dadurch ein hoher Anteil mehrfach geladener Spezies

Ø  Kapazitive Einkopplung der HF-Spannung durch die Spule in die Entladung muss durch die geometrische Anordnung und/oder durch zusätzliche Faraday-Schilde minimiert werden

Ø  Statisches Magnetfeld erforderlich für die ECR‑Resonanzbedingung

Datenblätter:



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